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存储巨头SK海力士39年风云录:从两度债台高筑 到全球半导体前三

阅读次数: 【 132 】 更新时间: 【 2022-04-11 】

近日,半导体市场研究机构 IC Insights 发布报告,随着各大存储巨头展开 200 层 NAND 闪存产品的研发竞赛,全球闪存资本支出再创新高。在各大巨头中,韩国存储巨头 SK 海力士预计将在 2023 年实现 196 层 NAND 闪存产品。

半导体存储器件是半导体行业市场占比最高的分支,总计市场规模在 1000 亿美元以上。其中 DRAM 和 NAND Flash 是最主流的两类存储器件,市场占比超过 95%,而 SK 海力士分别为全球 DRAM 市场份额第二和 NAND 闪存市场份额第四。

今年 1 月,随着各国监管部门陆续同意,SK 海力士宣布,其收购英特尔闪存业务的第一阶段程序已经完成。此次收购涉及的金额达 90 亿美元,全部流程完成后 SK 海力士将接管英特尔大连晶圆厂、闪存研发部门以及相关知识产权等,进一步扩大自身在闪存领域的市场份额。

作为存储巨头,SK 海力士的经历颇富传奇色彩,在如今全球第三大半导体公司的背后,它也曾两次背负高额负债,濒临倒闭。同时 SK 海力士还与现代、LG 和 SK 等韩国财团有着极深的羁绊:SK 海力士的前身曾是现代电子;现代电子和 LG 半导体合并后,在 2001 年独立改名为海力士;2012 年 SK 集团收购海力士,也就变成了如今人们所熟知的 SK 海力士。

芯东西将梳理现代电子成立至今 SK 海力士的近 40 年历史,回顾这家存储巨头的传奇经历,并展现存储市场的风谲云诡。

如今,总部位于韩国的 SK 海力士是全球最大的半导体厂商之一。根据市场调研机构 Gartner 的最新数据,SK 海力士 2021 年营收达 363.26 亿美元,是全球第三大半导体公司,仅次于三星和英特尔。

1983 年-2000 年:以代工起家的现代电子

韩国的半导体产业收入全球排名第二,仅次于美国,其重要性不言而喻,SK 海力士就是韩国半导体的标志性企业之一。

70 年代,DRAM 存储器刚刚诞生,英特尔、莫斯泰克(Mostek)等美国公司在 DRAM 市场轮番坐庄,日本公司也在伺机而动。

1983 年现代电子成立,由此开启了 SK 海力士的传奇之路。现代集团上世纪曾经是韩国最大的财团,未分家之前其业务类型覆盖建筑、汽车、造船、半导体等多个领域。

随着韩国三星、现代电子、LG 半导体等公司纷纷打入 DRAM 市场,行业产能开始过剩,行业利润严重下滑。

由于 1983 到 1985 年游戏机市场崩盘,DRAM 市场下降到只有之前的 10% 不到,英特尔、美国国家半导体等厂商先后退出了该市场。80 年代中期,日本企业凭借着低廉的成本和优秀的技术,开始压制美国公司、主导存储市场。

此时韩国企业基本处于追随者的角色,其中现代电子通过 OEM 代工的方式,从美国德州仪器等企业获得了关键技术,并于 1986 年完成了 64K DRAM 的量产。

1985 年 9 月,美国、日本、联邦德国、法国以及英国的财政部部长和中央银行行长举行会议,达成五国政府联合干预外汇市场、解决美国巨额贸易赤字问题的协议。由于这一会议召开的地点在纽约广场饭店,因此被称作广场协议。

该协议签署后,日元开始升值。美国商务部也启动了 301 反倾销调查,在次年签署美日半导体协议,迫使日本打开芯片市场。虽然此时日本厂商仍占据技术优势,但是其低价策略已经失去了魔力。

三星、现代、LG 和大宇四家韩国厂商依靠财阀的充沛财力,在 80 年代投资超过 20 亿美元,折合今天上百亿美元,开始在技术上追赶日本公司。

进入 90 年代后,荷兰光刻机供应商 ASML 的光刻机技术开始超过日本佳能和尼康。美光、三星相继更换 ASML 光刻机,现代电子也紧随其后采用了 ASML 的光刻机。

由于日本 DRAM 厂商坚持使用佳能和尼康光刻机,韩日双方在工艺、成本上逐渐拉开了差距。1997 年,亚洲金融危机爆发,由于韩国企业负债率过高、外汇储备不足、欧美债务收紧,韩元在年底数周内暴跌 60%,却极大地增强了韩国企业的出口竞争力。

1998 年,韩国 DRAM 企业的市场份额首次超过日本。除了依靠各大财团的雄厚实力外,韩国政府在半导体产业规划方面同样发挥了巨大的作用,从 1975 年开始,颁布了多项政策扶持韩国半导体产业发展。

韩国 1975 年-2011 年半导体政策

▲ 韩国 1975 年-2011 年半导体政策

为了促进韩国半导体产业的竞争力,韩国政府在 1999 年将现代电子与 LG 半导体合并,现代电子拥有多数股份。

根据海力士主要债权人、韩国外换银行(KEB)CEO 罗伯特・E・法伦(Robert E. Fallon)的说法,LG 半导体的公司仅价值 1.3 万亿韩元(约合 75 亿元人民币),而现代电子支付了 6.1 万亿韩元(约合 353 亿元人民币);仅现金部分就相当于 LG 半导体账面价值的两倍。

原则上,现代电子应该拒绝为 LG 半导体的债务买账,但是法伦称,当时要求两家公司合并的政治压力过于庞大,最终合并后现代电子负债近 140 亿美元,债务股本比高达 160%,这为公司带来了庞大的经济负担。

韩国外换银行 CEO Robert E. Fallon

▲ 韩国外换银行 CEO Robert E. Fallon

2001 年-2006 年:巨额债务下的绝地求生

2001 年,因为现代电子从现代集团中拆分,公司改名为海力士。同年美光完成收购德州仪器的内存部门,随着 1999 年到 2001 年内存行业整合结束,三星、美光、海力士、英飞凌四家掌握有全球近八成的 DRAM 市场份额。

2001-2014 年内存市场份额

▲ 2001-2014 年内存市场份额

此时 DRAM 市场竞争已经趋于白热化,产品价格接近生产成本,之后互联网泡沫破裂,DRAM 价格崩盘。

根据 IDC 数据,在 2001 年 DRAM 容量需求上升 56% 的情况下,DRAM 价格降低了 46%,2001 年 DRAM 市场预期只有 238 亿美元,相较 2000 年缩水 18%。

在这样的市场行情下,海力士亏损 25 亿美元,无力归还贷款,资产负债率高达 206%

考虑到半导体行业巨大的远期资本支出需求,韩国政府和以韩国外换银行为首的债权人开始推动出售海力士。

然而,三星和 LG 都拒绝接手这个负债累累的烂摊子,只有美光想要趁机大赚一笔。

2001 年底,时任海力士总裁的 Park Chong-sup 与美光达成协议,美光将以价值 30 亿美元的股票收购海力士的整个内存芯片业务与 25% 的其他业务,而且还不会接受海力士的 60 亿美元债务。

尽管当时海力士已经走投无路,但这一计划依旧遭到了海力士董事会的一致反对。最后美光收购海力士失败,各大 DRAM 厂商开始期待海力士倒闭空出的市场。

韩国外换银行这时(KEB)面临着两种选择:对公司进行清算;或者通过债权人主导的大规模重组,试图使海力士复苏。

韩国外换银行选择了后者,为此,外换银行根据《韩国企业重组促进法(CRPA)》启动了一项雄心勃勃的重组计划。CRPA 是韩国旨在帮助公司从金融危机中复苏国家计划的一部分,该法律使外换银行有权指定海力士的管理层,并借给海力士 12 亿美元以完成重建。

于是外换银行成立了债权人委员会取代海力士董事会,该委员会负责为海力士做出所有关键决定。而在海力士内部,外换银行设立了一个财务管理团队,专门负责监督海力士的现金收入与支出。

最后,外换银行选出了海力士的董事名单,其中 Eui-Jei Woo 成为了海力士的 CEO。

Woo 教授于 1967 年加入外换银行。2000 年,他升任韩国外换银行代理总裁。据他回忆,他被任命海力士 CEO 这天是他人生中最糟糕的一天。

海力士前 CEO Eui-Jei Woo

▲ 海力士前 CEO Eui-Jei Woo

Woo 教授记得,刚刚接手海力士之初,他们任何试图制定可行还款计划的尝试都被指责是失败的。债权人、韩国政府和媒体得出结论:海力士无法在财务上恢复元气,三方敦促他重启与美光的谈判。

Eui-Jei Woo 并没有因此而放弃,相反他选择继续带领海力士执行重建计划,最终完成了重建。

回顾海力士的复苏过程,Eui-Jei Woo 提出了海力士复兴中的 6 大里程碑:

  • 1、成立半导体联盟;

  • 2、卖掉了非存储芯片业务;

  • 3、中国无锡芯片厂的成立;

  • 4、CRPA 再融资;

  • 5、债权人权益货币化;

  • 6、引入新融资。

当时为了改善海力士的债务状况并确保其生存,韩国外换银行注销了海力士对自己的 80 亿美元债务,达到绝对控股,也缓解了海力士的债务压力。

之后,海力士和很多半导体公司达成了战略合作关系,组建了半导体联盟。法伦介绍,其中比较重要的是与欧洲芯片厂商意法半导体的合作。

当时意法半导体和海力士都瞄准了 NAND 闪存市场。但是意法半导体的专有设计实力很强,却并不擅长芯片制造。而海力士虽然芯片制造实力很强,但是没有多余的资金来建设新厂,因此双方提议合资建厂。

此时,中国不仅是一个巨大的市场,也在追求更高的芯片制造工艺,中国政府提供了非常诱人的优惠条件吸引外国技术投资,而且生产成本与其他国家相比也较低。

值得一提的是,海力士拒绝美光的收购报价后,美光于 2003 年向欧盟和美国起诉海力士。欧盟和美国因海力士接受韩国政府控制的银行补贴,分别决定对海力士征收 34% 与 45% 的进口关税。在中国合资建厂可以免交这些高额税款,这也进一步促使海力士选择中国建厂。

因为无锡此前曾引进东芝 DRAM 生产线,具备半导体生产经验,最终价值 20 亿美元的意法半导体和海力士存储芯片工厂在无锡落地,成为了当时中国最大的外国技术投资。

海力士无锡芯片厂共有两条生产线,一条 8 英寸晶圆生产线的月产量为 50000 片,另外一条 12 英寸生产线的月产量达到 18000 片。

本次海力士投入 2.5 亿美元的现金和价值 2.5 亿美元的设备,获得了工厂 2/3 的产能,意法半导体则占据另外 1/3。在这次投资中,海力士仅花费 2.5 亿美元现金就建设了价值 20 亿美元的工厂,还扩充了最先进的 12 英寸产能。

2002 年 11 月,私募股权与信贷公司 CVC 资本(CVC Capital Partners)开始与海力士沟通,希望交易其非存储芯片业务。海力士拒绝了 CVC 8 万亿韩元(约合 5 亿美元)的原始要约,从而直接与 CVC 董事长威廉・康福特(William Comfort)进行了谈判。

双方在 KEB 经过数天激烈讨论后,要约价格从 5 亿美元提高到 9.54 亿美元。这个数字大约是海力士非内存芯片部门账面价值的 2 倍,于是海力士同意了这笔交易,减少了超过 10 亿美元的债务。

而 CVC 将非内存芯片部门改名为 MagnaChip,并将其带入了国际证券市场。CVC 通过发行高收益的扬基债券(即在美国市场上发行的外国债券),获得了 7.5 亿美元收益。

海力士、KEB 和 CVC 都在交易中获得了利益

▲ 海力士、KEB 和 CVC 都在交易中获得了利益

这使法伦和 Eui-Jei Woo 意识到,高收益债券市场可能将为海力士提供类似的机会。

于是,海力士也开始发行债券对现有债务再融资,一开始该公司计划在市场筹集 18 亿美元。此时海力士已经 14 个季度连续亏损,很多债务被列为不良贷款,很多投资人并不看好重建计划。

为了重建海力士与债券市场投资者关系,海力士及其债权人同意放弃超过 10% 的股份,并将其投入市场进行融资。最终,该融资使海力士偿还了 12 亿美元的 CPRA 债务,为海力士赢回了市场信誉。

由于偿还了 CPRA 债务,KEB 的债权人理事会解散,董事会重新建立。换句话说,KEB 银行再次回归了其股东身份,不再直接管理海力士。KEB 的资金管理团队也随后撤出,赋予了海力士更多的管理自主权与资金使用权限。

2008 年,哥伦比亚大学商学院邀请法伦和 Eui-Jei Woo 进行讲座,将海力士的这次经历称为“有史以来最大、最成功的亚洲公司重组”。

2006 年至今:再陷债务危机,SK 集团救场

2006 年,随着无锡芯片工厂开业,海力士在腾飞的 NAND 闪存业务中占到了一大块蛋糕,当年获得了超过 20 亿美元的净利润,创造了海力士利润新高。眼看海力士即将摆脱破产阴影,Eui-Jei Woo 的退休却又为海力士的未来添加了几分不确定因素。

Woo 教授于 2007 年从海力士退休。在他辞职之前,他要求其继任者从海力士目前的管理层中挑选。

不幸的是,债权人 KEB 没有听从他的建议,而是任命了一位来自韩国贸易、工业和能源部的前部长金钟甲为接班人。在他领导下,海力士开始了积极的产能扩充。

2007 年 7 月,金钟甲宣布海力士计划大幅增加 300mm 晶圆的产量,以使海力士成为世界领先的芯片制造商。为此,海力士的大量投资迁移到 56、36nm DRAM 和 48nm NAND 闪存生产线上。

虽然金钟甲的野心很大,但他忽视了存储芯片价格的波动。2007 年,存储芯片价格开始下跌。9 月份,标准的 512MB DDR2 DRAM 芯片的价格从年初下降了超过 70%,原本 5.95 美元 / 片的 DRAM 芯片售价降到了 1.75 美元 / 片。

这本应是对海力士投资支出过高的一次警告。在芯片价格较低的情况下,海力士几乎无法支付其生产成本与贷款利息,也无法获得更多融资。尽管如此,金钟甲仍在继续其激进的资本支出计划。

海力士内部经验丰富的管理人员因此越来越不满,他们知道过去的高额债务几乎毁掉了公司。现在,他们却不得不眼睁睁地看着海力士的债务水平再次上升。

时任高级副总裁的权伍哲表达了他的担忧,很快他被另一名前韩国贸易、工业和能源部官员取代。另外一名海力士金融专家也曾提出质疑,但 2008 年因为 5 亿美元的全球可转换债券再融资失败,他被迫辞职。

我们现在无法得知为何 KEB 等债权人没有提前进行干预,但到了 2008 年第四季度,存储芯片价格仍未回升,海力士也受困于流动性紧缩,不得不与银行开始新一轮的接洽。

海力士为了生存,要求增加新股本并将银行债务延期,为此,海力士的债务水平将大幅提升。

具有讽刺意味的是,一家曾如此努力地去杠杆化资产负债表的公司,如今又面临着债务不断增加的局面,海力士管理层似乎忽略了 2002-2006 年的教训。

2008 年 12 月,海力士宣布将削减在韩国扩建工厂的开支,推迟了在中国无锡扩建工厂的 2.6 亿美元投资计划,并关闭了位于俄勒冈州尤金的 200mm 芯片制造工厂。

2009 年 1 月,韩国主要的债权银行宣布将提供 5000 亿韩元(约合 4.43 亿美元)的新贷款,以及 3000 亿韩元(约合 2.66 亿美元)的新股本,以及将超过 18000 亿韩元(约合 16 亿美元)的现有债务延期。

这为海力士提供了一定的资金流动性,以抵御存储芯片的价格下滑。但是这并没有让海力士摆脱亏损,自 2007 年开始,海力士连续三年亏损。2010 年,金钟甲任期时间到期,经过 KEB 等六家债权方银行推荐、投票,权伍哲成为了海力士的新任 CEO。

2012 年,SK 集团收购海力士,自此海力士终于从资金匮乏的境地中脱离了出来。之后,2013、2014、2017、2018、2020 年,DRAM 连续数年成为增幅最大的 IC 细分领域,SK 海力士业绩也逐步上升,公司更是由无人问津的“烂摊子”变成了“香饽饽”。

2014 年,SK 海力士宣布其“未来愿景”,计划从 2014 年开始建设 M14、M15、M16 三座工厂,M16 将在 2021 年 2 月份竣工,引进了最新的 EUV 光刻机;2019 年,SK 海力士又宣布,将在 2022 年后投资 1 千亿美元新建四座工厂。

SK 海力士的 M16 新厂

▲ SK 海力士的 M16 新厂

加大投资后的 SK 海力士在工艺研发和新型存储技术上逐渐取得突破。

2021 年 7 月,SK 海力士宣布开始使用 EUV 设备量产 1anm DRAM,这是第四代 10nm DRAM 工艺。12 月,SK 海力士宣布交付业界单片密度最大的 DDR5 DRAM 芯片,其每片密度为 24Gb,高于 1ynm 工艺的 DDR5 16Gb 的密度,芯片速率提升了 33%。

根据市场调研机构 Gartner 数据,2021 年 SK 海力士营收达 363.26 亿美元,较去年增长 40.5%,营收规模仅次于三星和英特尔,是全球第三大半导体公司。

在新型存储技术上,SK 海力士今年 2 月 16 日称,已开发出具有计算能力的下一代存储芯片 PIM(Processing In Memory)。基于这种存内计算方式,其 GDDR6-AiM(Accelerator in memory)样品与 CPU 或 GPU 的组合,比 DRAM 与 CPU 或 GPU 的组合计算速度快 16 倍,被期望用于机器学习、高性能计算以及大数据存储与计算。

结语:随半导体周期而动,SK 海力士的 39 年风雨

而回顾 SK 海力士接近 40 年的历史,存储芯片的价格波动始终主导了众多存储公司的命运。奇梦达、尔必达等业内巨头都已经不复存在,最终在存储领域形成了三星、SK 海力士和美光三大头部玩家。

而 SK 海力士的起起伏伏更是展示了市场判断对于企业经营的重要性。半导体市场由于其产线投产时间长的缘故,扎堆投资,就容易造成供过于求,进而使半导体公司出现亏损、生产线荒废、人员解散,又会导致市场紧缺,价格上升,又开始建立新的或者改善原生产线。这种情况下,如何对市场周期进行预判,又如何度过低迷期,都对各家半导体公司管理人员提出了极高的要求。

此外,SK 海力士也向我们展示了政府干预这一双刃剑的两刃。韩国存储半导体公司能够快速壮大,背后无疑有着政府规划的功劳,在海力士即将破产时,也是国有银行对其施以援手。可是对于半导体企业来说,残酷的市场竞争绝非简单地依靠政府盲目扩张就能成功。

韩国此前作为半导体市场的挑战者,与中国如今的情况有相同之处。SK 海力士作为韩国半导体的代表之一,其传奇经历的背后或许也可以为中国半导体行业提供一些经验。


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