最快下半年！安卓在这项性能上终于要反超iPhone

UFS 4.0来了！

最近三星半导体宣布已经成功开发出业内性能最佳的UFS 4.0（Universal Flash Storage）存储芯片，并且已经通过JEDEC固态存储协会的认证批准。

性能方面，UFS 4.0每通道带宽速度增至23.2Gbps，是UFS 3.1的两倍。基于三星的第七代V-NAND闪存和自研主控，实测连续读速可达4200MB/s、连续写速可达2800MB/s。

可做对比的是，目前业内性能最好的三星512GB UFS 3.1闪存芯片（2020年3月发布），标称连续读速最高2100MB/s，写速1200MB/s。

这样换算的话，UFS 4.0的读写性能均实现了翻倍！

最关键的是，UFS 4.0在提速的同时，单位功耗居然还低了。新内存将提供每 mA（毫安）6.0MB/s 的顺序读取速度，比之前的 3.1 版本的 UFS 提高了 46%。这意味着配备 UFS 4.0 的智能手机将拥有更长的电池寿命和更高的读写速度。

另外，UFS 4.0闪存芯片的封装尺寸只有11x13x1mm，最大容量1TB。

看了这些数据，可能你最关心的还是，这跟我们普通的用户有什么关系？我要说的是，那可太有关系了！

当前我们的手机大多数都是采用的UFS 协议的存储，常见的包括UFS3.1、UFS3.0、UFS2.1、UFS2.0等。比如近些年我们常常听见的，形容旗舰手机性能指标的“三驾马车”分别就包括：骁龙8+LPDDR5+UFS3.1，这基本上也是当前安卓旗舰的标配指标。

UFS 3.1标准于2020年2月发布，算起来已经有2年多的时间，如今LPDDR5+UFS3.1的存储标准已经下探到千元手机，可谓是相当普及了。如今，三星发布UFS4.0存储方案，这也将为接下来的旗舰手机带来新的存储标准。

UFS闪存的性能直接跟手机的性能挂钩，很多时候它甚至比处理器还要重要。比如手机在在读取4K高清影片时，UFS3.1相比UFS3.0所需时间更短，加载所需要的时间不到eMMC5.1的1/3。相应在体验游戏时，UFS3.1的手机延迟更低，画面更流畅，让我们的手机在应对更多场景时不会卡顿。

之前UFS3.1刚刚大范围普及的时候，某些旗舰手机就因为还搭载“落后”的UFS3.0被很多用户所诟病。而这一次，全新的UFS4.0作为一次性能上的大升级，很快也将会成为我们衡量“真旗舰”的重要参数指标。

还有一点，从这次官方披露的数据来看，UFS4.0还首次实现了对于iPhone的赶超！

众所周知，iPhone相比于安卓手机在系统流畅度、软件启动速度上都要更好。除了苹果A系列自研处理器性能独步天下，苹果闭环生态体验的一致性之外，还有一个重要原因就是iPhone使用的闪存是NVMe协议的，速度比安卓手机普遍采用的UFS协议快太多。

NvMe协议极大提升了硬盘的读取速度，iPhone的顺序读取速度高达3200MB/s，顺序写入速度为1200MB/s左右。而当前最好的UFS3.1芯片的读取速度最高2100MB/s，写速1200MB/s。

可以看到，和iPhone相比，当前顶级安卓旗舰在闪存性能上是有明显的差异的。而UFS 4.0这次官方公布的4200MB/s读速以及2800MB/s的写速（实际装机之后的速率肯定会有所下降），将不仅仅实现了对iPhone的追赶，甚至还实现了大幅超越。

另外UFS 4.0 闪存所使用的新存储技术，可以更轻松的支持 1TB 的大存储，有助于大存储空间手机的推进，预计 明年512GB 和 1TB 容量的智能手机产品会更为普及。三星方面表示，UFS 4.0 闪存的大带宽非常适合需要大量数据处理的 5G 智能手机使用，并希望看到该技术在 VR、AR 和汽车中得到采用。

除了闪存以外，LPDDR5X也即将开始量产，性能比LPDDR5约提升了20%。天玑9000处理器，更是早就实现了对LPDDR5X的支持。而高通阵营方面，三月的时候三星首款基于14nm的LPDDR5X内存已在高通骁龙移动平台上验证使用，预计很快也就会商用。

而三星UFS 4.0闪存将于今年三季度投入量产。换言之，最快下半年应该就能见到相关手机问世，比如三星自家的Galaxy Z Fold 4、Z Flip 4以及明年的S23系列等。

所以到了2023年，台积电3nm+LPDDR5X+UFS4.0将会是旗舰手机的性能新标杆。在这套性能组合的加持下，安卓手机的性能又将会再上一个大台阶。不说别的，安兔兔的跑分应该就会体验出来。